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PSMN017-80PS,127 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:

Nexperia（安世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

PSMN01 系列 80 V 17 mΩ N 沟道 TrenchMOS 晶体管 - TO220AB

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

PSMN017-80PS,127 数据手册 (14 页)

引脚图在2 页Hot

封装尺寸在10 页

PSMN017-80PS,127 数据手册 (14 页)

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PSMN017-80PS,127 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

17 mΩ

功耗

103 W

输入电容

1573 pF

漏源极电压(Vds)

80 V

漏源击穿电压

80 V

上升时间

12.3 ns

输入电容值(Ciss)

1573pF @40V(Vds)

额定功率(Max)

103 W

下降时间

7.7 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

103W (Tc)

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PSMN017-80PS,127 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.3 mm

宽度

4.7 mm

高度

16 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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PSMN017-80PS,127 符合标准

PSMN017-80PS,127 概述

PSMN017-80PS,127 数据手册

Nexperia（安世）

14 页 / 0.18 MByte

PSMN017-80PS,127 其他数据使用手册

Nexperia（安世）

206 页 / 0.21 MByte

PSMN01780 数据手册

PSMN017-80PS,127 数据手册

Nexperia（安世）

PSMN01 系列 80 V 17 mΩ N 沟道 TrenchMOS 晶体管 - TO220AB

PSMN017-80BS 数据手册

NXP（恩智浦）

NXP PSMN017-80BS 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 80 V, 0.0137 ohm, 10 V, 3 V

PSMN017-80BS,118 数据手册

Nexperia（安世）

N沟道 VDS=80V VGS=±20V ID=50A P=103W

PSMN017-80BS,118 数据手册

NXP（恩智浦）

PSMN017-80PS,127 数据手册

NXP（恩智浦）

PSMN017-80PS 数据手册

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N 通道 MOSFET，10A 至 99A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors

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