器件3D模型

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PSMN038-100K 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

SO-8

描述:

N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET

Pictures:

3D模型

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焊盘图

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PSMN038-100K 数据手册 (13 页)

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PSMN038-100K 数据手册 (13 页)

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PSMN038-100K 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SO-8

极性

N-CH

功耗

3.5 W

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

6.3A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

1740pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.5 W

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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PSMN038-100K 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.45 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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PSMN038-100K 符合标准

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NXP（恩智浦）

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