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Datasheet 搜索 > MOS管 > NXP(恩智浦) > PSMN038-100K,518 Datasheet 文档
PSMN038-100K,518
器件3D模型
0.323
PSMN038-100K,518 数据手册 (13 页)
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PSMN038-100K,518 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
极性
N-CH
功耗
3.5 W
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
6.3A
上升时间
13 ns
输入电容值(Ciss)
1740pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.5 W
下降时间
25 ns
耗散功率(Max)
3.5W (Tc)

PSMN038-100K,518 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

PSMN038-100K,518 数据手册

NXP(恩智浦)
13 页 / 0.26 MByte
NXP(恩智浦)
12 页 / 0.36 MByte

PSMN038100 数据手册

Nexperia(安世)
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=30A P=94.9W
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
Nexperia(安世)
Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
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