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PSMN057-200P
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PSMN057-200P 数据手册 (13 页)
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PSMN057-200P 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-78
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
39A

PSMN057-200P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

PSMN057-200P 数据手册

NXP(恩智浦)
13 页 / 0.16 MByte

PSMN057200 数据手册

NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
PSMN057-200B,118 编带
Nexperia(安世)
N沟道 VDS=200V VGS=±20V ID=39A P=250W
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
Philips(飞利浦)
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