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PSMN057-200P,127 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

PSMN057-200P,127 数据手册 (14 页)

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PSMN057-200P,127 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

250W (Tc)

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

39A

上升时间

58 ns

输入电容值(Ciss)

3750pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

250 W

下降时间

78 ns

耗散功率(Max)

250W (Tc)

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PSMN057-200P,127 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

宽度

4.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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PSMN057-200P,127 符合标准

PSMN057-200P,127 数据手册

NXP（恩智浦）

14 页 / 0.75 MByte

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N沟道 VDS=200V VGS=±20V ID=39A P=250W

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