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PSMN1R0-30YLC,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

SOT-669

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PSMN1R0-30YLC,115 数据手册 (14 页)

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PSMN1R0-30YLC,115 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

封装

SOT-669

功耗

272 W

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

77 ns

输入电容值(Ciss)

6645pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

272 W

下降时间

60 ns

耗散功率(Max)

272W (Tc)

PSMN1R0-30YLC,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

PSMN1R0-30YLC,115 符合标准

PSMN1R0-30YLC,115 数据手册

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