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PSMN1R0-30YLD 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

SOT-669

描述:

NXP PSMN1R0-30YLD 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.00079 ohm, 10 V, 1.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PSMN1R0-30YLD 数据手册 (13 页)

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PSMN1R0-30YLD 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

SOT-669

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.00079 Ω

极性

N-Channel

功耗

238 W

阈值电压

1.75 V

漏源极电压(Vds)

30 V

工作温度(Max)

175 ℃

PSMN1R0-30YLD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

PSMN1R0-30YLD 符合标准

PSMN1R0-30YLD 数据手册

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