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PSMN1R0-30YLDX 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

LFPAK-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

PSMN1R0-30YLDX 数据手册 (14 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在11 页

PSMN1R0-30YLDX 数据手册 (14 页)

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PSMN1R0-30YLDX 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

LFPAK-4

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

238W (Tc)

阈值电压

1.75 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

300A

输入电容值(Ciss)

8598pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

238 W

耗散功率(Max)

238W (Tc)

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PSMN1R0-30YLDX 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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PSMN1R0-30YLDX 符合标准

PSMN1R0-30YLDX 数据手册

NXP（恩智浦）

14 页 / 0.33 MByte

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