￥ 0.842

PSMN1R5-25YL,115 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:

Nexperia（安世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-669

描述:

NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R5-25YL,115, 100 A, Vds=25 V, 4引脚 LFPAK封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

PSMN1R5-25YL,115 数据手册 (13 页)

引脚图在2 页Hot

封装尺寸在10 页

PSMN1R5-25YL,115 数据手册 (13 页)

查看文档

或点击图片查看大图

PSMN1R5-25YL,115 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

封装

SOT-669

功耗

109 W

输入电容

4830 pF

漏源极电压(Vds)

25 V

上升时间

97 ns

输入电容值(Ciss)

4830pF @12V(Vds)

额定功率(Max)

109 W

下降时间

36 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

109W (Tc)

查看数据手册 >

PSMN1R5-25YL,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4.1 mm

高度

1.05 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

PSMN1R5-25YL,115 符合标准

PSMN1R5-25YL,115 概述

PSMN1R5-25YL,115 数据手册

Nexperia（安世）

13 页 / 0.19 MByte

PSMN1R5-25YL,115 其他数据使用手册

Nexperia（安世）

206 页 / 0.21 MByte

PSMN1R525 数据手册

PSMN1R5-25YL,115 数据手册

Nexperia（安世）

NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R5-25YL,115, 100 A, Vds=25 V, 4引脚 LFPAK封装

PSMN1R5-25YL,115 数据手册

NXP（恩智浦）

PSMN1R5-25YL 数据手册

NXP（恩智浦）

N 通道 MOSFET，超过 100A，NXP semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors

PSMN1R5-25YL 数据手册

Nexperia（安世）

N 通道 MOSFET，高达 30V，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors

PSMN1R5-25YL,115"" 数据手册

NXP（恩智浦）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号