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PSMN1R5-30YL,115 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:

Nexperia（安世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-669

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PSMN1R5-30YL,115 数据手册 (15 页)

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PSMN1R5-30YL,115 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

封装

SOT-669

针脚数

4 Position

漏源极电阻

1.3 mΩ

功耗

109 W

阈值电压

1.7 V

输入电容

5057 pF

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

72 ns

输入电容值(Ciss)

5057pF @12V(Vds)

额定功率(Max)

109 W

下降时间

34 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

109W (Tc)

PSMN1R5-30YL,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

PSMN1R5-30YL,115 符合标准

PSMN1R5-30YL,115 概述

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