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PSMN2R7-30PL 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

NXP PSMN2R7-30PL 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 2.3 mohm, 10 V, 1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PSMN2R7-30PL 数据手册 (15 页)

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封装尺寸在11 页

PSMN2R7-30PL 数据手册 (15 页)

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PSMN2R7-30PL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220

针脚数

3 Position

漏源极电阻

2.3 mΩ

极性

N-Channel

功耗

170 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

100A

输入电容值(Ciss)

3954pF @12V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

170 W

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PSMN2R7-30PL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

长度

10.3 mm

宽度

4.7 mm

高度

16 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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PSMN2R7-30PL 符合标准

PSMN2R7-30PL 数据手册

NXP（恩智浦）

15 页 / 0.21 MByte

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