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PSMN3R0-30MLC,115
0.485
PSMN3R0-30MLC,115 数据手册 (15 页)
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PSMN3R0-30MLC,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOT-1210
功耗
88 W
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
27.2 ns
输入电容值(Ciss)
2330pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
88 W
下降时间
13.7 ns
耗散功率(Max)
88W (Tc)

PSMN3R0-30MLC,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

PSMN3R0-30MLC,115 数据手册

NXP(恩智浦)
15 页 / 0.64 MByte
NXP(恩智浦)
206 页 / 0.21 MByte

PSMN3R030 数据手册

Nexperia(安世)
N沟道 VDS=30V VGS=2.15V ID=100A P=80W
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0026 ohm, 10 V, 1.7 V
Nexperia(安世)
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=70A P=88W
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
N沟道30 V 3.15 MI ©逻辑电平LFPAK33使用NextPower技术MOSFET N-channel 30 V 3.15 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP  PSMN3R0-30YLD  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0026 ohm, 10 V, 1.7 V
NXP(恩智浦)
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