Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Nexperia(安世) > PSMN3R0-30YL,115 Datasheet 文档
PSMN3R0-30YL,115
0.647
PSMN3R0-30YL,115 数据手册 (14 页)
查看文档
或点击图片查看大图

PSMN3R0-30YL,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
5 Pin
封装
SOT-669
功耗
81 W
输入电容
2822 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
58 ns
输入电容值(Ciss)
2822pF @12V(Vds)
额定功率(Max)
81 W
下降时间
21 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
81W (Tc)

PSMN3R0-30YL,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4.1 mm
高度
1.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

PSMN3R0-30YL,115 数据手册

Nexperia(安世)
14 页 / 0.22 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte

PSMN3R030 数据手册

Nexperia(安世)
N沟道 VDS=30V VGS=2.15V ID=100A P=80W
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0026 ohm, 10 V, 1.7 V
Nexperia(安世)
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=70A P=88W
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
N沟道30 V 3.15 MI ©逻辑电平LFPAK33使用NextPower技术MOSFET N-channel 30 V 3.15 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP  PSMN3R0-30YLD  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0026 ohm, 10 V, 1.7 V
NXP(恩智浦)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z