Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > NXP(恩智浦) > PSMN3R5-30YL,115 Datasheet 文档
PSMN3R5-30YL,115
0.42
PSMN3R5-30YL,115 数据手册 (14 页)
查看文档
或点击图片查看大图

PSMN3R5-30YL,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-669
极性
N-Channel
功耗
74 W
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
100 A
输入电容值(Ciss)
2458pF @12V(Vds)
额定功率(Max)
74 W
耗散功率(Max)
74W (Tc)

PSMN3R5-30YL,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

PSMN3R5-30YL,115 数据手册

NXP(恩智浦)
14 页 / 0.23 MByte

PSMN3R530 数据手册

Nexperia(安世)
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=100A P=74W
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z