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器件3D模型
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PSMN5R0-100BS 数据手册 - NXP(恩智浦)
制造商:
NXP(恩智浦)
封装:
D2PAK
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
PSMN5R0-100BS 数据手册 (14 页)
PSMN5R0-100BS 数据手册
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PSMN5R0-100BS 技术参数、封装参数
类型
描述
封装
D2PAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
120A
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PSMN5R0-100BS 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
查看数据手册 >
PSMN5R0-100BS 数据手册
PSMN5R0-100BS
数据手册
NXP(恩智浦)
14 页 / 0.21 MByte
PSMN5R0100 数据手册
PSMN5R0-100PS,127
数据手册
Nexperia(安世)
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=120A P=338W
PSMN5R0-100ES,127
数据手册
Nexperia(安世)
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=120A P=338W
PSMN5R0-100PS
数据手册
NXP(恩智浦)
在N沟道100伏5毫欧标一级MOSFET TO- 220 N-channel 100 V 5 mΩ standard level MOSFET in TO-220
PSMN5R0-100PS,127
数据手册
NXP(恩智浦)
PSMN5R0-100ES,127
数据手册
NXP(恩智浦)
PSMN5R0-100ES
数据手册
NXP(恩智浦)
在I2PAK N沟道100伏5 mΩ的标准水平MOSFET N-channel 100 V 5 mΩ standard level MOSFET in I2PAK
PSMN5R0-100XS,127
数据手册
NXP(恩智浦)
PSMN5R0-100ES
数据手册
Philips(飞利浦)
PSMN5R0-100BS
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NXP(恩智浦)
PSMN5R0-100XS127
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