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PSMN5R0-100ES,127
1.513
PSMN5R0-100ES,127 数据手册 (16 页)
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PSMN5R0-100ES,127 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-262-3
功耗
338 W
输入电容
9900 pF
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
91 ns
输入电容值(Ciss)
9900pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
338 W
下降时间
63 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
338W (Tc)

PSMN5R0-100ES,127 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

PSMN5R0-100ES,127 数据手册

Nexperia(安世)
16 页 / 0.32 MByte

PSMN5R0100 数据手册

Nexperia(安世)
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=120A P=338W
Nexperia(安世)
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=120A P=338W
NXP(恩智浦)
在N沟道100伏5毫欧标一级MOSFET TO- 220 N-channel 100 V 5 mΩ standard level MOSFET in TO-220
NXP(恩智浦)
在I2PAK N沟道100伏5 mΩ的标准水平MOSFET N-channel 100 V 5 mΩ standard level MOSFET in I2PAK
Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
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