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PSMN8R5-60YS 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

SOT-669

描述:

NXP PSMN8R5-60YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 76 A, 60 V, 5.6 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PSMN8R5-60YS 数据手册 (8 页)

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PSMN8R5-60YS 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

SOT-669

针脚数

4 Position

漏源极电阻

5.6 mΩ

极性

N-Channel

功耗

106 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

76A

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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PSMN8R5-60YS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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PSMN8R5-60YS 符合标准

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NXP（恩智浦）

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