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PTF080101M V1
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PTF080101M V1 数据手册 (8 页)
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PTF080101M V1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
960 MHz
引脚数
10 Pin
额定电压(DC)
65.0 V
额定电流
1 µA
封装
PG-RFP-10
漏源极电压(Vds)
65.0 V
输出功率
10 W
增益
16 dB
测试电流
180 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
18800 mW
额定电压
65 V

PTF080101M V1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Discontinued at Digi-Key
包装方式
Tape

PTF080101M V1 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.24 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.03 MByte

PTF080101 数据手册

Infineon(英飞凌)
LDMOS射频功率场效应晶体管10W , 860-960MHZ LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ
Infineon(英飞凌)
热增强型高功率射频LDMOS FET 10 W, 860 - 960兆赫 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
高功率射频LDMOS场效应晶体管10 W, 450 - 960兆赫 High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 450 – 960 MHz
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