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PTF080101S 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

H32259-2

描述:

热增强型高功率射频LDMOS FET 10 W， 860 - 960兆赫 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PTF080101S 数据手册 (9 页)

封装尺寸在2 页 8 页

原理图在6 页

PTF080101S 数据手册 (9 页)

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PTF080101S 技术参数、封装参数

类型

描述

频率

960 MHz

额定电流

1 μA

封装

H32259-2

输出功率

10 W

增益

18.5 dB

测试电流

150 mA

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PTF080101S 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

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PTF080101S 符合标准

PTF080101S 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.16 MByte

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