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PTF08A-E
1.839
PTF08A-E 数据手册 (32 页)
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PTF08A-E 技术参数、封装参数

类型
描述
触点数
8 Contact
安装方式
DIN Rail, Screw
引脚数
8 Pin
额定电压(AC)
110 V
额定电流
10 A
封装
ThroughHole
触点类型
DPDT
针脚数
8 Position
额定电压
110 VAC

PTF08A-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
颜色
Black
宽度
28.5 mm
高度
29.97 mm
工作温度
-25℃ ~ 55℃

PTF08A-E 数据手册

Omron(欧姆龙)
32 页 / 1.33 MByte
Omron(欧姆龙)
27 页 / 0.85 MByte

PTF08 数据手册

Omron(欧姆龙)
Omron(欧姆龙)
OMRON ELECTRONIC COMPONENTS  PTF08A-E  继电器插座, DIN轨安装, 螺丝, 8 引脚
Omron(欧姆龙)
继电器插座及配件 PTF08A DIP
Omron(欧姆龙)
OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION  PTF08AE  继电器插座, DIN轨安装, 螺丝, 8 引脚, LY Series
Infineon(英飞凌)
LDMOS射频功率场效应晶体管45 W, 869-960兆赫 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 869-960 MHz
Infineon(英飞凌)
LDMOS射频功率场效应晶体管90 W, 869-960兆赫 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz
Infineon(英飞凌)
LDMOS射频功率场效应晶体管60 W, 860-960兆赫 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz
Infineon(英飞凌)
LDMOS射频功率场效应晶体管60 W, 860-960兆赫 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz
Infineon(英飞凌)
热增强型高功率射频LDMOS FET 10 W, 860 - 960兆赫 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz
Infineon(英飞凌)
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