PUMH1,115

器件3D模型

￥ 0.036

PUMH1,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

双极性晶体管

封装:

SC-88-6

描述:

NXP PUMH1,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 60 hFE, SOT-363

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

PUMH1,115 数据手册 (14 页)

引脚图在2 页Hot

封装尺寸在8 页

PUMH1,115 数据手册 (14 页)

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PUMH1,115 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SC-88-6

针脚数

6 Position

极性

NPN

功耗

200 mW

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

最小电流放大倍数

60 @5mA, 5V

额定功率(Max)

300 mW

直流电流增益(hFE)

60

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

查看数据手册 >

PUMH1,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

PUMH1,115 符合标准

PUMH1,115 数据手册

PUMH1,115 数据手册

NXP（恩智浦）

14 页 / 0.6 MByte

PUMH1,115 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

206 页 / 0.21 MByte

PUMH1,115 产品修订记录

NXP（恩智浦）

72 页 / 3.63 MByte

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