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PXAC201202FC-V2-R250
63.6
PXAC201202FC-V2-R250 数据手册 (3 页)
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PXAC201202FC-V2-R250 技术参数、封装参数

类型
描述
频率
2.2 GHz
封装
H-37248-4
输出功率
16 W
增益
17 dB
测试电流
240 mA
工作温度(Max)
225 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
额定电压
65 V

PXAC201202FC-V2-R250 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

PXAC201202FC-V2-R250 数据手册

PXAC201202FCV2 数据手册

Infineon(英飞凌)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M
CREE(美国科锐)
Infineon(英飞凌)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
CREE(美国科锐)
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