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QS8J13TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSMT-8

描述:

ROHM QS8J13TR 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -5.5 A, -12 V, 0.015 ohm, -4.5 V, -1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

QS8J13TR 数据手册 (12 页)

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QS8J13TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

TSMT-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.015 Ω

极性

Dual P-Channel

功耗

1.5 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

12 V

连续漏极电流(Ids)

5.5A

上升时间

100 ns

输入电容值(Ciss)

6300pF @6V(Vds)

额定功率(Max)

1.25 W

下降时间

200 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1500 mW

QS8J13TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

QS8J13TR 符合标准

QS8J13TR 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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