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QS8J4FRATR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

封装:

TSMT

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.04 ohm, -10 V, -2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

QS8J4FRATR 数据手册 (14 页)

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QS8J4FRATR 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TSMT

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.04 Ω

极性

Dual P-Channel

功耗

1.5 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

工作温度(Max)

150 ℃

QS8J4FRATR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

QS8J4FRATR 符合标准

QS8J4FRATR 数据手册

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14 页 / 1.43 MByte

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