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QS8K13TCR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

晶体管

封装:

SMD-8

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

QS8K13TCR 数据手册 (12 页)

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QS8K13TCR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SMD-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.02 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

1.5 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

40 ns

输入电容值(Ciss)

390pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

550 mW

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1500 mW

QS8K13TCR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

QS8K13TCR 符合标准

QS8K13TCR 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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QS8K13 数据手册

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双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V

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