R1LV1616HBG-I 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

16MB先进LPSRAM （ 1M wordx16bit / 2M wordx8bit ） 16Mb Advanced LPSRAM (1M wordx16bit / 2M wordx8bit)

工作温度范围宽版16M的SRAM （ 1 - Mword × 16位/ 2 - Mword × 8位） Wide Temperature Range Version 16 M SRAM (1-Mword 】 16-bit / 2-Mword 】 8-bit)

SRAM，R1LV 系列，Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出：OR-tie 能力 ### SRAM（静态随机存取存储器）

RENESAS  R1LV1616RSA-5SI#B0  芯片, 存储器, SRAM, 16Mb, 3V, 55NS, 48TSOP

静态随机存取存储器 Advanced LP静态随机存取存储器, 16Mb,1Mx16, Pbfree/tray

SRAM，Renesas Electronics### SRAM（静态随机存取存储器）

SRAM，Renesas Electronics### SRAM（静态随机存取存储器）

SRAM，R1LV 系列，Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出：OR-tie 能力 ### SRAM（静态随机存取存储器）

16MB先进LPSRAM （ 1M wordx16bit / 2M wordx8bit ） 16Mb Advanced LPSRAM (1M wordx16bit / 2M wordx8bit)