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R5007FNX 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 500 V, 1 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

R5007FNX 数据手册 (16 页)

R5007FNX 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1 Ω

极性

N-Channel

功耗

43 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

450pF @25V(Vds)

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

40W (Tc)

查看数据手册 >

R5007FNX 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

150℃ (TJ)

最小包装数量

1000

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R5007FNX 符合标准

R5007FNX 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

16 页 / 2.95 MByte

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