￥ 1.084

R6006ANDTL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

R6006ANDTL 数据手册 (15 页)

封装尺寸在13 页

R6006ANDTL 数据手册 (15 页)

查看文档

或点击图片查看大图

R6006ANDTL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

900 mΩ

极性

N-CH

功耗

40 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

36 ns

输入电容值(Ciss)

460pF @25V(Vds)

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

40W (Tc)

查看数据手册 >

R6006ANDTL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

R6006ANDTL 符合标准

R6006ANDTL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

15 页 / 0.64 MByte

R6006ANDTL 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

15 页 / 0.64 MByte

R6006 数据手册

Brady

R6006ANX 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor

R6006ANDTL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

R6006-00 数据手册

Harwin

HARWIN R6006-00 间隔柱, 自锁, 6.3MM, 25只

R6006KND3TL1 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 0.72 ohm, 10 V, 5.5 V

R60060-3CR 数据手册

Eaton Bussmann（伊顿巴斯曼）

保险丝座 3P 600V 60A Class R Fuseblock

R60060-3COR 数据手册

Eaton Bussmann（伊顿巴斯曼）

R60060-3CR 数据手册

Cooper Bussmann（库柏）

连接器

R60060-1CR 数据手册

Eaton Bussmann（伊顿巴斯曼）

保险丝座 1P 600V 60A Class R Fuseblock

R60060-2CR 数据手册

Eaton Bussmann（伊顿巴斯曼）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号