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Datasheet 搜索 > 延时继电器 > NTE Electronics > R60-11AD10-120 Datasheet 文档
R60-11AD10-120
74.83

R60-11AD10-120 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Plug In
引脚数
8 Pin
额定电流
10 A
额定功率
345 VA
触点类型
DPDT
触点额定电流
10.0 A
线圈电压
120 V
线圈电流
17 mA
线圈电压(AC)
120 V
载流
10.0 A
额定电流(Max)
10 A
线圈电压(DC)
120 V
额定功率(Max)
345 VA
开关电流(Max)
10 A
工作温度(Max)
55 ℃
工作温度(Min)
-20 ℃
额定电压(DC Max)
28 V
额定电压(AC Max)
240 V
输入电压
120 V

R60-11AD10-120 数据手册

NTE Electronics
1 页 / 0.14 MByte
NTE Electronics
1 页 / 0.6 MByte

R6011 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6011ENX  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 4 V 新
NTE Electronics
NTE ELECTRONICS  R60-11AD10-24  延时继电器, DPDT
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6011ENJTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 4 V 新
NTE Electronics
NTE ELECTRONICS  R60-11AD10-120  延时继电器, DPDT
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6011KNX  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 5 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 4 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6011KNJTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 5 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 5 V
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