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R6015FNJTL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

R6015FNJTL 数据手册 (16 页)

封装尺寸在13 页

典型应用电路图在15 页

R6015FNJTL 数据手册 (16 页)

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R6015FNJTL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

270 mΩ

极性

N-CH

功耗

255 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

15A

上升时间

45 ns

输入电容值(Ciss)

1660pF @25V(Vds)

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

50W (Tc)

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R6015FNJTL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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R6015FNJTL 符合标准

R6015FNJTL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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