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R6020ENJ 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

R6020ENJ 数据手册

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R6020ENJ 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TO-263

漏源极电阻

0.17 Ω

极性

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

20A

上升时间

53 ns

下降时间

67 ns

R6020ENJ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

工作温度

-55℃ ~ 150℃

最小包装数量

1000

R6020ENJ 符合标准

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