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R6024KNZ1C9 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

ROHM R6024KNZ1C9 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

R6024KNZ1C9 数据手册 (13 页)

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R6024KNZ1C9 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.15 Ω

极性

N-Channel

功耗

245 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

24A

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

2000pF @25V(Vds)

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

245W (Tc)

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R6024KNZ1C9 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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R6024KNZ1C9 符合标准

R6024KNZ1C9 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

13 页 / 2.03 MByte

R6024KNZ1C9 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

14 页 / 2.03 MByte

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R6024KNZ1C9 数据手册

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