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R6030KNZC8 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

ROHM R6030KNZC8 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 5 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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R6030KNZC8 数据手册 (13 页)

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R6030KNZC8 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.115 Ω

极性

N-Channel

功耗

86 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

30A

上升时间

65 ns

输入电容值(Ciss)

2350pF @25V(Vds)

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

86W (Tc)

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R6030KNZC8 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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R6030KNZC8 符合标准

R6030KNZC8 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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