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R6035ENZ1
2.37
R6035ENZ1 数据手册
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R6035ENZ1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247
漏源极电阻
0.092 Ω
极性
N
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
35A
上升时间
80 ns
下降时间
80 ns

R6035ENZ1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃
最小包装数量
450

R6035 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6035ENZ1C9  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6035ENZC8  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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