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R6046FNZ 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-3

描述:

10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

R6046FNZ 数据手册 (7 页)

R6046FNZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-3

漏源极电阻

0.075 Ω

极性

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

46A

上升时间

150 ns

下降时间

80 ns

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R6046FNZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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工作温度

-55℃ ~ 150℃

最小包装数量

360

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R6046FNZ 符合标准

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