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RCX081N20 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 200 V, 0.55 ohm, 10 V, 5.25 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RCX081N20 数据手册 (14 页)

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RCX081N20 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

550 mΩ

极性

功耗

40 W

阈值电压

3.25 V

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

330pF @25V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2.23W (Ta), 40W (Tc)

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RCX081N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

150℃ (TJ)

最小包装数量

1000

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RCX081N20 符合标准

RCX081N20 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

14 页 / 0.37 MByte

RCX081N20 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

13 页 / 0.43 MByte

RCX081 数据手册

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晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 200 V, 0.55 ohm, 10 V, 5.25 V

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