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RD3.0ES
0.048
RD3.0ES 数据手册 (8 页)
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RD3.0ES 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
-

RD3.0ES 数据手册

NEC(日本电气)
8 页 / 0.07 MByte

RD30 数据手册

NEC(日本电气)
RD30S 稳压二极管 200mW/0.2W SOD323/0805-30V marking/标记 b1 301 恒定电压/恒定电流/浪涌吸收器/ESD保护电路
NEC(日本电气)
RD30M 稳压二极管 30V 200mW/0.2W SOT23-30V marking/标记 b1 301 恒定电压/恒定电流/浪涌吸收器
NEC(日本电气)
RD30SL 稳压二极管 30V 200mW/0.2W SOD323/0805-30V marking/标记 N1 301 低噪声/夏普击穿特性/恒定电压/恒定电流/浪涌吸收器
Mitsubishi(三菱)
符合RoHS指令,硅MOSFET功率晶体管, 175MHz的, 30W RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
Mitsubishi(三菱)
硅MOSFET功率晶体管, 175MHz的, 30W Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,30W
NEC(日本电气)
RD30UM 稳压二极管 30V 200mW/0.2W SOD523/0603-30V marking/标记 B 恒定电压/恒定电流/浪涌吸收器
Mitsubishi(三菱)
硅MOSFET功率晶体管, 520MHz的, 30W Silicon MOSFET Power Transistor,520MHz,30W
NEC(日本电气)
RD30P 稳压二极管 30V 1W SOT89-30V marking/标记 30 恒定电压/恒定电流/浪涌吸收器/ESD保护电路
Renesas Electronics(瑞萨电子)
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