￥ 0.023

RE1E002SPTCL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-3

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -250 mA, -30 V, 0.9 ohm, -10 V, -2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RE1E002SPTCL 数据手册 (14 页)

典型应用电路图在12 页

RE1E002SPTCL 数据手册 (14 页)

查看文档

或点击图片查看大图

RE1E002SPTCL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.9 Ω

极性

P-Channel

功耗

0.15 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

0.25A

上升时间

6 ns

输入电容值(Ciss)

30pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

150 mW

下降时间

23 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150mW (Ta)

查看数据手册 >

RE1E002SPTCL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

RE1E002SPTCL 符合标准

RE1E002SPTCL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

14 页 / 0.49 MByte

RE1E002SPTCL 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

13 页 / 0.5 MByte

RE1E002 数据手册

RE1E002SPTCL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

晶体管, MOSFET, P沟道, -250 mA, -30 V, 0.9 ohm, -10 V, -2.5 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号