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器件3D模型
¥ 2.845
REF5010IDGKR 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
电压基准芯片
封装:
VSSOP-8
描述:
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
REF5010IDGKR 数据手册 (20 页)
封装尺寸
在
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13 页
14 页
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REF5010IDGKR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
容差
±0.05 %
封装
VSSOP-8
输出电压
10 V
输出电流
10 mA
供电电流
1.2 mA
通道数
1 Channel
静态电流
800 µA
输入电压(Max)
18 V
输出电压(Min)
10 V
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
精度
0.05 %
输入电压
10.2V ~ 18V
查看数据手册 >
REF5010IDGKR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
3 mm
高度
0.97 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃
温度系数
±3 ppm/℃
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REF5010IDGKR 数据手册
REF5010IDGKR
数据手册
TI(德州仪器)
20 页 / 0.59 MByte
REF5010IDGKR
产品设计参考手册
TI(德州仪器)
152 页 / 5.85 MByte
REF5010 数据手册
REF5010
数据手册
TI(德州仪器)
低噪声、极低漂移、高精度电压基准
REF5010
AIDGKT
数据手册
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5010
AIDGKR
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TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5010
IDGKR
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低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5010
AIDR
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低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5010
AID
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TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5010
ID
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS REF5010ID 电压参考, 高精准, 低噪, 系列 - 固定, REF5010系列, 10V, SOIC-8
REF5010
IDGKT
数据手册
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5010
IDR
数据手册
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
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