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器件3D模型
¥ 21.889
REF5045AID 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
电压基准芯片
封装:
SOIC-8
描述:
Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
REF5045AID 数据手册 (20 页)
封装尺寸
在
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REF5045AID 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
容差
±0.1 %
封装
SOIC-8
输入电压(DC)
4.70V ~ 18.0V
输出电压
4.5 V
输出电流
10 mA
供电电流
1.2 mA
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
静态电流
800 µA
输入电压(Max)
18 V
输出电压(Max)
4.5 V
输出电压(Min)
4.5 V
输出电流(Max)
10 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
精度
0.05 %
额定电压
4.5 V
输入电压
4.7V ~ 18V
查看数据手册 >
REF5045AID 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)
温度系数
±8 ppm/℃
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REF5045AID 符合标准
REF5045AID 概述
●
串联电压参考,固定,4V 至 10V
●
### 电压参考,Texas Instruments
●
精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
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低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
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低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5045
AIDGKT
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低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5045
ID
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TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5045
IDGKT
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TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移精密 Low-Noise, Very Low Drift Precision
REF5045
AID
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TI(德州仪器)
Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
REF5045
IDR
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TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5045
AIDG4
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS REF5045AIDG4 电压参考, 高精准, 低噪, 系列 - 固定, REF5045系列, 4.5V, SOIC-8
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