￥ 0.065

RF4E075ATTCR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

PowerUDFN-8

描述:

MOS场效应管 RF4E075ATTCR JT HUML2020L8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RF4E075ATTCR 数据手册 (12 页)

RF4E075ATTCR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerUDFN-8

极性

P-Channel

功耗

2W (Ta)

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

7.5A

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

1000pF @15V(Vds)

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta)

查看数据手册 >

RF4E075ATTCR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

RF4E075ATTCR 符合标准

RF4E075ATTCR 海关信息

RF4E075ATTCR 概述

RF4E075ATTCR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 2.84 MByte

RF4E075ATTCR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 2.84 MByte

RF4E075 数据手册

RF4E075ATTCR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

MOS场效应管 RF4E075ATTCR JT HUML2020L8

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号