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RF4E110BNTR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

DFN2020-8

描述:

N沟道 30V 11A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RF4E110BNTR 数据手册 (12 页)

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RF4E110BNTR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

DFN2020-8

通道数

1 Channel

功耗

2 W

阈值电压

2 V

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

1200pF @15V(Vds)

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta)

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RF4E110BNTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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RF4E110BNTR 符合标准

RF4E110BNTR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 0.38 MByte

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11 页 / 2.32 MByte

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晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0087 ohm, 10 V, 2.5 V

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