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RFD15P05SM
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RFD15P05SM 数据手册 (8 页)
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RFD15P05SM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-15.0 A
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
150 mΩ
极性
P-CH
功耗
80 W
漏源极电压(Vds)
50 V
漏源击穿电压
50 V
连续漏极电流(Ids)
15.0 A
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
1150pF @25V(Vds)
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
80W (Tc)

RFD15P05SM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

RFD15P05SM 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.39 MByte

RFD15P05 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
Intersil(英特矽尔)
15A , 50V , 0.150欧姆,P沟道功率MOSFET 15A, 50V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Intersil(英特矽尔)
15A , 50V , 0.150欧姆,P沟道功率MOSFET 15A, 50V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
Harris
RFD15P05SM9A P沟道MOS场效应管 -50V -15A 0.150ohm SOT-252 marking/标记 D15P05
ON Semiconductor(安森美)
Intersil(英特矽尔)
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