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RFD15P05SM9A
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RFD15P05SM9A 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-252
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
1150pF @25V(Vds)
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
80000 mW

RFD15P05SM9A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon

RFD15P05SM9A 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.38 MByte

RFD15P05SM9 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
Harris
RFD15P05SM9A P沟道MOS场效应管 -50V -15A 0.150ohm SOT-252 marking/标记 D15P05
Intersil(英特矽尔)
ON Semiconductor(安森美)
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