Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > RFD16N05 Datasheet 文档
RFD16N05
0.318
RFD16N05 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

RFD16N05 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
16.0 A
封装
TO-251-3
漏源极电阻
47.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
72W (Tc)
漏源极电压(Vds)
50 V
漏源击穿电压
50.0 V
连续漏极电流(Ids)
16.0 A
输入电容值(Ciss)
900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
72 W
耗散功率(Max)
72W (Tc)

RFD16N05 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

RFD16N05 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.2 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.22 MByte

RFD16 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD16N05LSM9A  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 50 V, 47 mohm, 5 V, 2 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD16N05SM9A  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 50 V, 47 mohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD16N06LESM9A  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 47 mohm, 5 V, 3 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFD16N05LSM9A, 16 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFD16N05SM9A, 16 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
16A , 50V , 0.047 Ohm的N通道功率MOSFET 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD16N06LESM9A, 16 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD16N06LESM  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 47 mohm, 5 V, 3 V
Fairchild(飞兆/仙童)
16A , 50V , 0.047欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET 16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
16A , 50V , 0.047欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET 16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z