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RFD16N05SM
0.66
RFD16N05SM 数据手册 (10 页)
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RFD16N05SM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
16.0 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
47.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
72W (Tc)
输入电容
900 pF
栅电荷
45.0 nC
漏源极电压(Vds)
50 V
漏源击穿电压
50.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
16.0 A
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
72 W
下降时间
30 ns
耗散功率(Max)
72W (Tc)

RFD16N05SM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

RFD16N05SM 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.72 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.62 MByte

RFD16N05 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
16A , 50V , 0.047欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET 16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
Intersil(英特矽尔)
16A , 50V , 0.047 Ohm的N通道功率MOSFET 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD16N05LSM9A  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 50 V, 47 mohm, 5 V, 2 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD16N05SM9A  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 50 V, 47 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFD16N05LSM9A, 16 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFD16N05SM9A, 16 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
16A , 50V , 0.047 Ohm的N通道功率MOSFET 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
16A , 50V , 0.047欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET 16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
16A , 50V , 0.047 Ohm的N通道功率MOSFET 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
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