RFD3055LESM9A

￥ 0.429

RFD3055LESM9A 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD3055LESM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.107 ohm, 5 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RFD3055LESM9A 数据手册 (2 页)

RFD3055LESM9A 数据手册 (2 页)

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RFD3055LESM9A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

11.0 A

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.107 Ω

极性

N-Channel

功耗

38 W

阈值电压

3 V

输入电容

350 pF

栅电荷

9.40 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±16.0 V

连续漏极电流(Ids)

11.0 A, 11.0 mA

上升时间

105 ns

输入电容值(Ciss)

350pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

38 W

下降时间

39 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

38W (Tc)

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RFD3055LESM9A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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RFD3055LESM9A 符合标准

RFD3055LESM9A 海关信息

RFD3055LESM9A 数据手册

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2 页 / 0.19 MByte

RFD3055LESM9A 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18 页 / 0.94 MByte

RFD3055LESM9A 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.15 MByte

RFD3055LESM9A 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.87 MByte

RFD3055LESM9A 其他参考文件

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Fairchild（飞兆/仙童）

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ON Semiconductor（安森美）

增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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Harris

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Intersil（英特矽尔）

晶体管| MOSFET | N沟道| 60V V（ BR ） DSS | 11A I（ D） | TO- 252AA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-252AA

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