RFD3055LESM9A 数据手册 - Intersil（英特矽尔）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD3055LESM9A  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.107 ohm, 5 V, 3 V

增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

晶体管| MOSFET | N沟道| 60V V（ BR ） DSS | 11A I（ D） | TO- 252AA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-252AA