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RFG60P05E
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RFG60P05E 数据手册 (7 页)
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RFG60P05E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-60.0 A
封装
TO-247-3
极性
P-CH
功耗
215W (Tc)
漏源极电压(Vds)
50 V
连续漏极电流(Ids)
60.0 A
输入电容值(Ciss)
7200pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
215W (Tc)

RFG60P05E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

RFG60P05E 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.21 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.39 MByte

RFG60P05 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
60A , 50V , 0.030欧姆,额定ESD ,P沟道功率MOSFET 60A, 50V, 0.030 Ohm, ESD Rated, P-Channel Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
60A , 50V , 0.030欧姆,额定ESD ,P沟道功率MOSFET 60A, 50V, 0.030 Ohm, ESD Rated, P-Channel Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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