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RFM12U7X(TE12L,Q) 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:

Toshiba（东芝）

分类:

晶体管

封装:

PW-X-4

描述:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

RFM12U7X(TE12L,Q) 数据手册 (5 页)

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RFM12U7X(TE12L,Q) 技术参数、封装参数

类型

描述

频率

520 MHz

引脚数

3 Pin

额定电流

4 A

封装

PW-X-4

功耗

20 W

输出功率

12 W

增益

10.8 dB

测试电流

750 mA

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-45 ℃

耗散功率(Max)

20000 mW

额定电压

20 V

RFM12U7X(TE12L,Q) 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Discontinued at Digi-Key

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

RFM12U7X(TE12L,Q) 符合标准

RFM12U7X(TE12L,Q) 海关信息

RFM12U7X(TE12L,Q) 数据手册

RFM12U7X(TE12L,Q) 其他数据使用手册

Toshiba（东芝）

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RFM12U7XTE12 数据手册

RFM12U7X(TE12L,Q) 数据手册

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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V

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